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据外媒消息称，三星决定将“第二代3nm工艺”重新命名为“2nm工艺”，并已经通知客户需要重写合同。

据外媒消息称，三星决定将“第二代3nm工艺”重新命名为“2nm工艺”，并已经通知客户需要重写合同。三星的更名举措可能是一种简化命名的方式，并能够更好地与其它代工厂进行竞争，至少在数字上能够达成效果。

英特尔在2024年晚些时候推出的20A工艺节点，就是一项所谓的2nm级技术。三星如果继续采用第二代3nm的命名方式，很容易让消费者产生落后的印象。

IT之家 3 月 4 日消息，据 TheElec，三星正在考虑在其下一代 DRAM 中应用模压填充（MUF）技术。三星最近测试了一种用于 3D 堆栈 (3DS) 内存的 MR MUF 工艺，与 TC NCF 相其吞吐量有所提升，但物理特性却出现了一定恶化。

经过测试，该公司得出结论，MUF 不适用于高带宽内存 (HBM)，但非常适合 3DS RDIMM，而目前 3DS RDIMM 使用硅通孔 (TSV) 技术制造，主要用于服务器。

MUF 是一种在半导体上打上数千个微小的孔，然后将上下层半导体连接的 TSV 工艺后，注入到半导体之间的材料，它的作用是将垂直堆叠的多个半导体牢固地固定并连接起来。

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